MINED y Universidades unen esfuerzo para mejorar calidad de estudiante

Maestros de matemáticas y español de las Universidades Públicas y de los institutos de secundaria se reunieron en el Primer Encuentro Nacional entre el Ministerio de Educación y Universidades públicas para contraer compromisos ante la problemática de los aprendizajes en estas asignaturas en la educación secundaria. Por primera vez en la historia de la Educación nicaragüense el MINED se reúne con las universidades públicas, para pensar la educación nacional en un todo y trabajar de forma articulada, expresó el profesor Miguel De Castilla, el Ministro Cuatro por Cuatro. Entre los compromisos se destaca integrar Comisiones Curriculares de Matemática y Español, con miembros de las distintas instancias involucradas (MINED- Universidades Públicas), quienes elaborarán tres pruebas en el transcurso del año escolar, para aplicarlas a los estudiantes Y valorar los alcances de aprendizajes obtenidos en cada período evaluativo. La primera prueba se efectuará en mayo, la segunda en agosto y la tercera octubre. Posteriormente se realizará el examen de admisión en las universidades, el cual será elaborado por maestros de las especialidades de matemática y español de secundaria y educación superior, explicó el profesor De Castilla. Por su parte, el Secretario General de la Universidad Nacional de Ingeniería, ingeniero Diego Muñoz, dijo que las Universidades Públicas formularán proyectos con el apoyo del MINED para la formación permanente y continua de docentes en las universidades públicas y que se hará uso de las Tecnologías de la Información y Comunicación, como instrumentos de información, comunicación y recursos de apoyo para los docentes de matemática y español. Asimismo, las universidades públicas elaborarán con el MINED, planes para la captación y retención de docentes y estudiantes en las zonas alejadas de las cabeceras departamentales. También se impulsará bajo la coordinación de los docentes de Matemática y Español y con la asesoría de las Universidades Públicas, la organización del Movimiento de Alumnos (as) Monitores (as) y la implementación de Círculos de Estudio en los centros públicos de Educación Secundaria, con el propósito de nivelar el rendimiento académico, especialmente en matemática y español. Otros acuerdos importantes son: la capacitación y apoyo con material educativo a profesores de Educación Secundaria del área de matemática y español, dotación de textos, materiales de apoyo y materiales didácticos a los institutos públicos, a fin de que sirvan de fuente de consulta y actualización a los docentes y estudiantes de cuarto y quinto año; utilizar los Talleres de Evaluación, Programación y Capacitación Educativa (TEPCES), de Matemática y Español de los quintos años, para monitorear el desarrollo de los aprendizajes en matemática y Español durante el año 2008. Igualmente, las autoridades del MINED y los rectores universitarios acordaron la creación de las Comisiones Locales de Currículum de Español y Matemáticas, donde las Universidades Públicas tienen presencia; Revisar y mejorar el sistema de evaluación de los aprendizajes de los estudiantes en español y matemática tanto en la educación primaria y secundaria como la superior, entre otras. “Esta reunión marca un hito en la integración, coordinación del sistema de la Educación Superior y MINED, esta relación va a tener como resultado beneficios muy grandes para la niñez y juventud nicaragüense”, aseveró el doctor Rigoberto Sampson, Rector de la UNAM- León. Por su parte el Rector de la UNAN-Managua, doctor Francisco Guzmán, afirmó que este encuentro trasciende el resultado de los exámenes de admisión de los bachilleres a las universidades, porque estos acuerdos demandan recursos económicos, coordinaciones entre las instituciones desde los territorios, donde hay un problema, pero también existe la voluntad y capacidad para enfrentarlo.

Universidad Nacional de Ingeniería entrega Honoris Causa al presidente de Nicaragua

El presidente Daniel Ortega resaltó, después de recibir el título de Honoris Causa de parte de las autoridades de la Universidad Nacional de Ingeniería (UNI), que en los Estados Unidos se sientan las bases para que las minorías inicien un proceso de cambio que permita mantener relaciones justas con los pueblos del mundo y, principalmente, con las naciones en vías de desarrollo.

Las palabras del mandatario se enmarcaron en el actual proceso electoral de los Estados Unidos, donde el senador demócrata de origen afroamericano, Barack Obama, se perfila como uno de los candidatos principales a suceder a George Bush, causante de la guerra contra Irak.

“Esa juventud norteamericana está trascendiendo en los aspectos de discriminación racial, esa juventud negra, valiente y rebelde, de Luther King, de Malcon X, está apostando a favor de Obama, está despertando y apostando por ese candidato", dijo.

"Estamos frente a un fenómeno que de por sí es revolucionario, pero que no significa que se está produciendo la revolución en los Estados Unidos, diría que se están sentando las bases para un cambio revolucionario, tengo la fe en Dios y en la juventud que se va producir ese gran cambio”, señaló.

“Los cambios se tienen que dar y el hecho mismo que un norteamericano con raíces africanas esté en estos momentos destacándose en la batalla electoral para ser nominado a la presidencia es muy importante”, refirió.

El presidente compartió el reconocimiento con el reverendo Roy Bayúa, luchador por las causas sociales y uno de los principales impulsores del cierre de la Escuela para las Américas, una institución militar que brinda adiestramiento a soldados de los ejércitos latinoamericanos.

Cambiar dictadura global

“En los Estados Unidos están preocupados, el imperio no quiere ver con sentido de justicia las relaciones con los demás países. El axioma es sencillo: cuanto más desempleo en México, Centroamérica y América Latina más migración va a haber a Estados Unidos, yo les he dicho con toda claridad a sus representantes, les planteo que si no cambian de política no van a detener la avalancha de migrantes”, resaltó.

Criticó la dictadura global que ejercen las naciones desarrolladas, que insisten con su principio de libre mercado y se niegan a establecer el axioma del mercado justo.

Se pronunció por el cierre de la Escuelas de las Américas (conocida como Centro de Entrenamiento Latinoamericano), porque su misión principal era fomentar o servir como instrumento para preparar a soldados latinoamericanos a cooperar con los Estados Unidos y contrarrestar la influencia creciente de organizaciones populares en América Latina.

Manifestó que connotados miembros de la Guardia Nacional Somocista se entrenaron en ese lugar para luego torturar y asesinar a los nicaragüenses, por lo que una vez más reiteró que el Ejercito de Nicaragua nunca será un instrumento de represión del pueblo.

A la entrega del Honoris Causa asistieron la compañera Rosario Murillo, Coordinadora del Consejo de Comunicación y Ciudadanía, el analista político Aldo Díaz Lacayo, el rector de la UNI, Aldo Urbina, quienes destacaron las razones por las cuales se otorgó dicho reconocimiento. El compañero presidente felicitó a las autoridades de la UNI por celebrar sus 25 años de fundacion, la que fue hecha mediante un decreto emitido por el mismo Ortega en el año 1983.

Daniel manifestó su respaldo para que la Universidad Nacional de Ingeniera se convierta en el centro de enseñanza superior para la capacitación de miles de estudiantes que tengan acceso a la tecnología de punta.

PROYECTO DE FUENTE DE ALIMENTACION.

EN LA UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA (UNI) , CULMINO EL AÑO ESCOLAR PARA LOS ELECTRONICO DE 2 AÑO CON UN PROYECTO DE UNA FUENTE DE ALIMENTACION (5 ,12 ,15 Y -15 VOLTIOS Y CON UN MINIMO DE 1.25 VOLTIO). DONDE LOS ESTUDIANTE IMPLEMENTARON SU CONOCIMIENTO TEORICO CON LA PRACTICA EN LA CLASE DE ELECTRONICA ANALOGICA QUE IMPARTIO EL ING. FELIPE PAZ.

MATERIALES A UTILIZAR:
1-Transformador de 3 A o de 2 A. con Voltaje de 12 Vo.
1- Puente Rectificador tipo puente integrado de 6 A.
2- Condensadores electrolitico de 3300 uF, 25 Vo.
4- Condensadores de Ceramica de 1 uF.
2- Resistencia de 120 K , 5 W.
2- Potenciometro de 5 K
1- Regulador de Voltaje 78L05
1-Regulador de Voltaje 78L12
1-Regulador de Voltaje ajustable LM317
1-Regulador de Voltaje ajustable LM337

Circuito de la fuente.

Shootin' Hoops

JUEGOS.(Comando)

TRANSITORES FET

Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Características generales:

	Por el terminal de control no se absorbe corriente.
	Una señal muy débil puede controlar el componente
	La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico.

Se empezaron a construir en la década de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.

Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N. Sus símbolos son los siguientes:

Símbolo de un FET de canal N

Simbolo de un FET de canal P

CURVA CARACTERÍSTICA

Los parámetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:

Parametro de canal P.

Parametro de canal N

La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensión V_GS.
Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , V_GS.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones típicas: Surtidor común (SC), Drenador común (DC) y Puerta común (PC). La más utilizada es la de surtidor común que es la equivalente a la de emisor común en los transistores bipolares.

Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la amplificación de señales débiles.

CARACTERÍSTICAS DE LOS FET

V_GS y V_GD.- son las tensiones inversas máximas soportables por la unión PN.
I_G.- corriente máxima que puede circular por la unión puerta - surtidor cuando se polariza directamente.
P_D.- potencia total disipable por el componente.
I_DSS.- Corriente de saturación cuando V_GS=0.
I_GSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unión puerta - surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.

JUEGOS.