BUS DE ENTRADA Y SALIDA

El Osciloscopio

Un osciloscopio es un instrumento de medición electrónico para la representación gráfica de señales eléctricas que pueden variar en el tiempo. Es muy usado en electrónica de señal, frecuentemente junto a un analizador de espectro.

Presenta los valores de las señales eléctricas en forma de coordenadas en una pantalla, en la que normalmente el eje X (horizontal) representa tiempos y el eje Y (vertical) representa tensiones. La imagen así obtenida se denomina oscilograma. Suelen incluir otra entrada, llamada "eje Z" o "Cilindro de Wehnelt" que controla la luminosidad del haz, permitiendo resaltar o apagar algunos segmentos de la traza.

Los osciloscopios, clasificados según su funcionamiento interno, pueden ser tanto analógicos como digitales, siendo el resultado mostrado idéntico en cualquiera de los dos casos, en teoría.

A continuacion dejare una tutoria sobre como utilizar el Osciloscopio..

Tutorial de Electrónica Básica Osciloscopio

Liberar el Samsung F480

Este procedimiento para liberar el Samsung F480 es bastante sencillo y en un momento lo tendrás a punto para poder utilizarlo con cualquier tarjeta SIM.

Solamente debes seguir los siguientes pasos:

1. Enciende el terminal sin ninguna tarjeta SIM en él
2. Ahora, introduce la tarjeta SIM de otro operador diferente al original
3. Una vez introducida, debes marcar *2767*3855# y esperar unos 20 segundos aproximadamente, en ese tiempo se recofingurará automáticamente
4. Ahora el teléfono se reiniciará y te pedirá la configuración de la pantalla táctil
5. Después, marca el siguiente código *7465625*638*00000000*00000000# configurándose así el bloqueo de red con el código 00000000
6. Ahora debería salirte un mensaje en el que te indicará que el bloqueo de red se configuró correctamente
7. Deberás marcar de nuevo otro código *7465625*638*00000000# para poder desbloquear la red completamente
8. Ahora apágalo y enciéndelo de nuevo.

Una vez que lo hayas encendido, ya lo tendrás liberado y listo para poder usarlo con cualquier operador.

codigos y trucos para samsung

Esta es una lista de trucos para los Samsung, algunos no funcionan con todos los celulares pero en general funcionan bien.
algunos muy importantes.
*2767*JAVA# Java Reset and (Borra las appz java)
*2767*MEDIA# Reset Media (borra sonidos e imagenes)
*2767*WAP# Wap Reset
*2767*CUST# Resetea el EEPR0M personalizado
*2767*FULL# Resetea todo el EEPR0M (*OJO*

SAMSUNG V200/E317/E316/X426/X427/S300/S307 Y NO C QUE OTROS.

v200 Unlock Code-> *2767*7822573738# CÓDIGO DE DESBLOQUEO UNIVERSAL DEL V200

*#9998*Help# Help screen/Lista de códigos *algo incompleta*
*#9998*LOGO# Cambia el logo del operador (cuando se prende el teléfono)
*#9998*RTC# RTC Display
*#9998*Bat# Estado de la bateria. *Muy bueno, muestra el % de pila restante
*#9998*Buz# Prende el "buzzer"
*#9998*Vib# Prende el vibrador
*#9998*LCD# Contraste del LCD *algunos no permiten esta funcion
*#9998*9999# Softwre Version
*#9998*8888# Hardware Version
*#9998*NET# Informacion de su operador ( red, en colombia sería 732-XXX)
*#9998*778# SIM .tabla de servicios
*#9998*SIM# SIM Info
*#9998*PN# Número de produccion
*#9998*968# Algo con el sonido (no se exactamente, me dice "Yamaha sound OK"
*#9998*NVM# Muestra estado de la Non-Volitile memory
*#9998*2576# Obliga a un error de Sim *ojo*
*#9998*DEAD# Obliga un "shock" del telefono *ojo*
*2767*MEDIA# Resets the medis on the phone (borra todas las imagenes y sonidos)
*2767*FULL# Resetea el EEPRON *OJO*
*2767*CUST# Resetea el EEPRON personalizado
*2767*JAVA# Resets JAV downloads (borra todas las aplicaciones java)
*2767*STACKRESET# Resetea el Stack
*2767*225RESET# ????????????????? * Ojo con eso *
*2767*WAP# Resetea el WAP

************ SAMSUNG X100 ************
#*2558# - Time ON
#*2527# - GPRS Switching Set to class {4/8/9/10}
#*4263# - Handsfree Mode: ACTIVATED
#*53696# - [Java dnload] WAPSAR mode
#*536961# - WAPSAR enable HTTP disable
#*536962# - HTTP enable WAPSAR disable
#*536963# - SERIAL enable Others disable
#*5663351# - [Phone Model] SAMSUNG SGH-X100
#*6420# - Mic off
#*6421# - Mic on
#*7632# - Modo Sleep
*2767*3855# - Full EEPROM reset (resetea todos los bloqueos pero tambien pierdes las imágenes y los juegos.

ALGUNOS SAMSUNG VIEJITOS
*#06# IMEI code
*#9998*4357# Help Menu
*#9998*5282# Java menu (GRPS/CSD configuracion del JAVA server)
*#9999#0# Monitor Mode
*#9999# or *#9998*9999# Software Version
*#8888# or *#9998*8888# Hardware Version
*#9998*746# or *#9998*0746# o *#0746# Sim Info
*#9998*523# or *#9998*0523# o *#0523# Contraste
*#9998*842# or *#9998*0842# o *#0842# Vibration On (hasta que des OK)
*#9998*289# or *#9998*0289# o *#0289# Buzzer On (hasta que des OK)
*#9998*288# or *#9998*0288# o *#0288# Bateria
*#9998*778# or *#9998*0778# or *#0778# Tabla de servicio sim
*#9998*782# fecha y alarma
*#8999*638# info del operador
*#9998*5646# cambiar logo del operador (al prender el tel)
*#9998*968# view melody for alarm
*#9998*585# Non-Volatile Memory (NVM)
*#3243948# Digital Audio Interference Off
*#32436837# Digital Audio Interference On *MUY BUENO, ES COMO EL *3320# DE ALGUNOS NOKIA QUE CAMBIA EL MODO DE LA SEÑAL, YO LO RECOMIENDO ON, ASI SE DISMINUYEN LOS HUECOS EN LA SEÑAL.


Remover el sonido de la camara:
*#8999*8378# --> Test mode
H/W test
Audio Settings
Melody Gain
Then reemplazar 6 por 0, mostrara 12 pero no importa.
dar "back"!!
Baja el volumen de la tecla al minimo y no mas sonido
*este truco no ha funcionado casi con ningun telefono, si les funciona, muy bien!!

*2767*688# resetea todo el telefono

=== / : ===
otros modelos

*7465625*228# - Activa lock personalizado
*7465625*2827# - Auto CP lock activado
*7465625*28638# - Auto Network lock activado
*7465625*28746# - Auto SIM lock activado
*7465625*2877# - Auto SP lock activado
*7465625*28782# - Auto subset lock activado

Como liberar Sony Ericsson K750i - K750

Primero instala tu SE correctamente con los drivers que vienen aca

Aqui el software para hacer todo:::

K750i Drivers

Gflash

Sony Ericsson Update Service (SEUS)

K750_R1CA021_M AIN_EU_1_CL_RE D36.mbn

K750_R1CA021_F S_AMERICA_2_RE D36.fbn

Remove_SIM_loc k_K750_R1CA021 .vkp

SETool2Lite


!AVISO: TODO EL PROCEDIMIENTO SE HACE SIN LA TARJETA SIM O CHIP!


!NO ME AGO RESPONSABLE SI SE MUERE TU SE!
!HAZ UN RESPALDO DE TU SONY, YA QUE SE BORRARA TODO!


Para poder empezar, tu K750i debe ser lo siguiente:
CID:36
COLOR:RED
FIRMWARE VERSION:R1CA021 (si es mas antiguo, les recomiendo que lo actualicen con "SEUS")

Para Saber que firmware es el celular, sigan estos pasos, si ya sabes la info de tu cel pasa a la seccion (B)

(A)
1) Primero apaguen su celular, quitenle la bateria, quitenle el chip y vuelvanle a poner la bateria.

2) Sin prender el celular, mantengan presionada la tecla "C" en el celular y conecten el cable del celular a la computadora.

3) La computadora reconocera el celular como Flash Device o algo asi, lo instalan con los drivers que les puse.

4) Ya instalado completamente el celular lo desconectan, le sacan la bateria y se la vuelven a meter.

5)Abren el SETool2Lite y hacen lo siguiente:

Seleccionan el modelo del telefono en este caso seria K750, y le dan a Identify




El programa les dira que conecten el celular, hagan el paso 2 y ya saldra la info de su cel mas o menos asi:


welcome to setool2 lite edition v 1.07
supported DB2010/DB2012 CID49/50/51, DB2020 CID49/51/52
Loaded 51 flash descriptors
ChipID:8040,EMP protocol:0301
OLD EROM, OVERRIDING COLOR
OLD EROM, OVERRIDING CID
PHONE IS RED RETAIL PRODUCT
FLASH CID detected:49
Speed:921600
Flash ID check:200D
Flash props sent ok
OTP LOCKED:1 CID:36 PAF:1 IMEI:356551XXXXXXXX CERT:RED
FLASH CID:36 COLOR:RED

MAPP CXC article: R1CA021 prgCXC1250092_ EU_1_CA
MAPP CXC version: R1CA021
Language Package:EMEA_6
CDA article: CDA102337/6
CDA version: R5A
Default article: cxc1250093
Default version: R1CA021

Network LOCKED
Operator: 234-33

USERCODE:0000

Elapsed:9 secs.

Ok, eso es nomas para saber la info de tu SE.

(B)

Ya que esta todo bien configurado y sabes el Firmare de tu cel, ahora si vamos al grano!

6) Abrimos el programa GFlash y hacemos lo que sale aca:



7) En el MAIN ponemos el archivo descargado K750_R1CA021_M AIN_EU_1_CL_RE D36.mbn

8) En el FileSystem (FS) ponemos el archivo descargado K750_R1CA021_F S_AMERICA_2_RE D36.fbn.

9) Le damos en Flash, y nos dira que conectemos el celular, aganlo igual que en el paso 2 (quitas la pila, la vuelves a poner, dejas presionado el C, al segundo conectas el cable USB al celular, y ya te lo detectara el programa y empezara a flashear)

10) Ya que acabe de flashear mas o menos 10 minutos, cierras el programa, desconectas el celular, le quitas la bateria, y se la vuelves a poner.

11) Abres de nuevo el programa y ahora si viene lo bueno,, A LIBERAR se ha dicho!!!

12) Haces lo siguiente:



13) Te vas a la seccion de Repair/GDFS/Patching

14) Seleccionas "Patch"

15) Le das en "Add" y seleccionas el archivo descargado "Remove_SIM_loc k_K750_R1CA021 .vkp"

16)Le das en Repair/Read/Patch. Te dira que conectes el telefono y como ya sabes sigues el paso 2.

17) Y ya al final te debe salir algo asi..




Y YA ESTA!!!

Ya despues cierras el programa, desconectas tu cel, le quitas la bateria, le pones la tarjeta sim o chip, le pones la bateria y ya quedo!

Tu sony ericsson K750i liberado para cualquier companyia telefonica!

CIRCUITO INTEGRADO 555

ESTOS BROTHER NO EXPLICA COMO USAR EL INTEGRADO 555, QUE VIMOS EN ELECTRONICA ANALOGICA APLICADA

CONTADOR DIGITAL 0-99

Electronica digital "La Resistencias"

Amplificador Operacional

Un amplificador operacional (A.O., habitualmente llamado op-amp) es un circuito electrónico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia):

Vout = G·(V₊ − V₋)

El primer amplificador operacional monolítico data de los años 1960, era el Fairchild μA702 (1964), diseñado por Bob Widlar. Le siguió el Fairchild μA709 (1965), también de Widlar, y que constituyó un gran éxito comercial. Más tarde sería sustituido por el popular Fairchild μA741(1968), de David Fullagar, y fabricado por numerosas empresas, basado en tecnología bipolar.

Originalmente los A.O. se empleaban para operaciones matemáticas (suma, resta, multiplicación, división, integración, derivación, etc) en calculadoras analógicas. De ahí su nombre.

El A.O. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada infinita, un ancho de banda también infinito, una impedancia de salida nula, un tiempo de respuesta nulo y ningún ruido. Como la impedancia de entrada es infinita también se dice que las corrientes de entrada son cero.

El símbolo de un MONOLITICO es el mostrado en la siguiente figura:

Los terminales son:

• V₊: entrada no inversora
• V_-: entrada inversora
• V_OUT: salida
• V_S+: alimentación positiva
• V_S-: alimentación negativa

Las terminales de alimentación pueden recibir diferentes nombres, por ejemplo en los A.O. basados en FET V_DD y V_SS respectivamente. Para los basados en BJT son V_CC y V_EE.

Normalmente los pines de alimentación son omitidos en los diagramas eléctricos por claridad.

Configuraciones:

• Esta es una aplicación sin la realimentación. Compara entre las dos entradas y saca una salida en función de qué entrada sea mayor. Se puede usar para adaptar niveles lógicos.
• Vout=Vs + V1 >V2 o Vs - V1
• Es aquel circuito que proporciona
  

a la salida la misma tensión que a la

entrada

• Se usa como un buffer, para eliminar efectos de carga o para adaptar impedancias (conectar un dispositivo con gran impedancia a otro con baja impedancia y viceversa)
• Como la tensión en las dos patillas de entradas es igual: V_out = V_in

Z_in = ∞

Inversor

Se denomina inversor ya que la señal de salida es igual a la señal de entrad

a (en forma) pero con la fase invertida 180 grados.

• El análisis de este circuito es el siguiente:
• V₊ = V_- = 0
• Definiendo corrientes (Vin-0/Rin)=(-Vout-/Rf) y de aquí se despejamos
• Vout=(-V in)(Rf/Rin)
  
• Para el resto de circuitos el análisis es similar.
• Z_in = R_in

Por lo cual podemos controlar la impedancia de entrada mediante la elección de R₁

_{Vo=-(R2/R1)(Vin)}

_{Esta configuración es una de las mas importantes, porque gracias a esta configuración, se puede elaborar otras configuraciones, com}

_{o la configuración del derivado, integrador, sumador.}

No inver

sor

Vout=Vin(1+R2/R1)

Sumador inversor

• La salida está invertida
• Para resistencias independientes R₁, R₂,... R_n

Vout=-Rf(V1/R1+V2/R2+....Vn/Rn)

• La expresión se simplifica bastante si se usan resistencias del mismo valor
• Impedancias de entrada: Z_n = R_n

Restador Para resistencias independientes R₁,R₂,R₃,R₄

Vout=V2(R3+R1)(R4)/(R4+R2)(R1)- V1(R3/R1)

• Igual que antes esta expresión puede simplificarse con resistencias iguales
• La impedancia diferencial entre dos entradas es Z_in = R₁ + R₂

MINED y Universidades unen esfuerzo para mejorar calidad de estudiante

Maestros de matemáticas y español de las Universidades Públicas y de los institutos de secundaria se reunieron en el Primer Encuentro Nacional entre el Ministerio de Educación y Universidades públicas para contraer compromisos ante la problemática de los aprendizajes en estas asignaturas en la educación secundaria. Por primera vez en la historia de la Educación nicaragüense el MINED se reúne con las universidades públicas, para pensar la educación nacional en un todo y trabajar de forma articulada, expresó el profesor Miguel De Castilla, el Ministro Cuatro por Cuatro. Entre los compromisos se destaca integrar Comisiones Curriculares de Matemática y Español, con miembros de las distintas instancias involucradas (MINED- Universidades Públicas), quienes elaborarán tres pruebas en el transcurso del año escolar, para aplicarlas a los estudiantes Y valorar los alcances de aprendizajes obtenidos en cada período evaluativo. La primera prueba se efectuará en mayo, la segunda en agosto y la tercera octubre. Posteriormente se realizará el examen de admisión en las universidades, el cual será elaborado por maestros de las especialidades de matemática y español de secundaria y educación superior, explicó el profesor De Castilla. Por su parte, el Secretario General de la Universidad Nacional de Ingeniería, ingeniero Diego Muñoz, dijo que las Universidades Públicas formularán proyectos con el apoyo del MINED para la formación permanente y continua de docentes en las universidades públicas y que se hará uso de las Tecnologías de la Información y Comunicación, como instrumentos de información, comunicación y recursos de apoyo para los docentes de matemática y español. Asimismo, las universidades públicas elaborarán con el MINED, planes para la captación y retención de docentes y estudiantes en las zonas alejadas de las cabeceras departamentales. También se impulsará bajo la coordinación de los docentes de Matemática y Español y con la asesoría de las Universidades Públicas, la organización del Movimiento de Alumnos (as) Monitores (as) y la implementación de Círculos de Estudio en los centros públicos de Educación Secundaria, con el propósito de nivelar el rendimiento académico, especialmente en matemática y español. Otros acuerdos importantes son: la capacitación y apoyo con material educativo a profesores de Educación Secundaria del área de matemática y español, dotación de textos, materiales de apoyo y materiales didácticos a los institutos públicos, a fin de que sirvan de fuente de consulta y actualización a los docentes y estudiantes de cuarto y quinto año; utilizar los Talleres de Evaluación, Programación y Capacitación Educativa (TEPCES), de Matemática y Español de los quintos años, para monitorear el desarrollo de los aprendizajes en matemática y Español durante el año 2008. Igualmente, las autoridades del MINED y los rectores universitarios acordaron la creación de las Comisiones Locales de Currículum de Español y Matemáticas, donde las Universidades Públicas tienen presencia; Revisar y mejorar el sistema de evaluación de los aprendizajes de los estudiantes en español y matemática tanto en la educación primaria y secundaria como la superior, entre otras. “Esta reunión marca un hito en la integración, coordinación del sistema de la Educación Superior y MINED, esta relación va a tener como resultado beneficios muy grandes para la niñez y juventud nicaragüense”, aseveró el doctor Rigoberto Sampson, Rector de la UNAM- León. Por su parte el Rector de la UNAN-Managua, doctor Francisco Guzmán, afirmó que este encuentro trasciende el resultado de los exámenes de admisión de los bachilleres a las universidades, porque estos acuerdos demandan recursos económicos, coordinaciones entre las instituciones desde los territorios, donde hay un problema, pero también existe la voluntad y capacidad para enfrentarlo.

Universidad Nacional de Ingeniería entrega Honoris Causa al presidente de Nicaragua

El presidente Daniel Ortega resaltó, después de recibir el título de Honoris Causa de parte de las autoridades de la Universidad Nacional de Ingeniería (UNI), que en los Estados Unidos se sientan las bases para que las minorías inicien un proceso de cambio que permita mantener relaciones justas con los pueblos del mundo y, principalmente, con las naciones en vías de desarrollo.

Las palabras del mandatario se enmarcaron en el actual proceso electoral de los Estados Unidos, donde el senador demócrata de origen afroamericano, Barack Obama, se perfila como uno de los candidatos principales a suceder a George Bush, causante de la guerra contra Irak.

“Esa juventud norteamericana está trascendiendo en los aspectos de discriminación racial, esa juventud negra, valiente y rebelde, de Luther King, de Malcon X, está apostando a favor de Obama, está despertando y apostando por ese candidato", dijo.

"Estamos frente a un fenómeno que de por sí es revolucionario, pero que no significa que se está produciendo la revolución en los Estados Unidos, diría que se están sentando las bases para un cambio revolucionario, tengo la fe en Dios y en la juventud que se va producir ese gran cambio”, señaló.

“Los cambios se tienen que dar y el hecho mismo que un norteamericano con raíces africanas esté en estos momentos destacándose en la batalla electoral para ser nominado a la presidencia es muy importante”, refirió.

El presidente compartió el reconocimiento con el reverendo Roy Bayúa, luchador por las causas sociales y uno de los principales impulsores del cierre de la Escuela para las Américas, una institución militar que brinda adiestramiento a soldados de los ejércitos latinoamericanos.

Cambiar dictadura global

“En los Estados Unidos están preocupados, el imperio no quiere ver con sentido de justicia las relaciones con los demás países. El axioma es sencillo: cuanto más desempleo en México, Centroamérica y América Latina más migración va a haber a Estados Unidos, yo les he dicho con toda claridad a sus representantes, les planteo que si no cambian de política no van a detener la avalancha de migrantes”, resaltó.

Criticó la dictadura global que ejercen las naciones desarrolladas, que insisten con su principio de libre mercado y se niegan a establecer el axioma del mercado justo.

Se pronunció por el cierre de la Escuelas de las Américas (conocida como Centro de Entrenamiento Latinoamericano), porque su misión principal era fomentar o servir como instrumento para preparar a soldados latinoamericanos a cooperar con los Estados Unidos y contrarrestar la influencia creciente de organizaciones populares en América Latina.

Manifestó que connotados miembros de la Guardia Nacional Somocista se entrenaron en ese lugar para luego torturar y asesinar a los nicaragüenses, por lo que una vez más reiteró que el Ejercito de Nicaragua nunca será un instrumento de represión del pueblo.

A la entrega del Honoris Causa asistieron la compañera Rosario Murillo, Coordinadora del Consejo de Comunicación y Ciudadanía, el analista político Aldo Díaz Lacayo, el rector de la UNI, Aldo Urbina, quienes destacaron las razones por las cuales se otorgó dicho reconocimiento. El compañero presidente felicitó a las autoridades de la UNI por celebrar sus 25 años de fundacion, la que fue hecha mediante un decreto emitido por el mismo Ortega en el año 1983.

Daniel manifestó su respaldo para que la Universidad Nacional de Ingeniera se convierta en el centro de enseñanza superior para la capacitación de miles de estudiantes que tengan acceso a la tecnología de punta.

PROYECTO DE FUENTE DE ALIMENTACION.

EN LA UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA (UNI) , CULMINO EL AÑO ESCOLAR PARA LOS ELECTRONICO DE 2 AÑO CON UN PROYECTO DE UNA FUENTE DE ALIMENTACION (5 ,12 ,15 Y -15 VOLTIOS Y CON UN MINIMO DE 1.25 VOLTIO). DONDE LOS ESTUDIANTE IMPLEMENTARON SU CONOCIMIENTO TEORICO CON LA PRACTICA EN LA CLASE DE ELECTRONICA ANALOGICA QUE IMPARTIO EL ING. FELIPE PAZ.

MATERIALES A UTILIZAR:
1-Transformador de 3 A o de 2 A. con Voltaje de 12 Vo.
1- Puente Rectificador tipo puente integrado de 6 A.
2- Condensadores electrolitico de 3300 uF, 25 Vo.
4- Condensadores de Ceramica de 1 uF.
2- Resistencia de 120 K , 5 W.
2- Potenciometro de 5 K
1- Regulador de Voltaje 78L05
1-Regulador de Voltaje 78L12
1-Regulador de Voltaje ajustable LM317
1-Regulador de Voltaje ajustable LM337

Circuito de la fuente.

Shootin' Hoops

JUEGOS.(Comando)

TRANSITORES FET

Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando funcionan como amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Características generales:

	Por el terminal de control no se absorbe corriente.
	Una señal muy débil puede controlar el componente
	La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico.

Se empezaron a construir en la década de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la encontramos en los circuitos integrados.

Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N. Sus símbolos son los siguientes:

Símbolo de un FET de canal N

Simbolo de un FET de canal P

CURVA CARACTERÍSTICA

Los parámetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:

Parametro de canal P.

Parametro de canal N

La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensión V_GS.
Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión que existe entre Puerta (G) y Fuente o surtidor (S) , V_GS.
Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones típicas: Surtidor común (SC), Drenador común (DC) y Puerta común (PC). La más utilizada es la de surtidor común que es la equivalente a la de emisor común en los transistores bipolares.

Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la amplificación de señales débiles.

CARACTERÍSTICAS DE LOS FET

V_GS y V_GD.- son las tensiones inversas máximas soportables por la unión PN.
I_G.- corriente máxima que puede circular por la unión puerta - surtidor cuando se polariza directamente.
P_D.- potencia total disipable por el componente.
I_DSS.- Corriente de saturación cuando V_GS=0.
I_GSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unión puerta - surtidor se encuentra polarizado en sentido inverso.

JUEGOS.

Transistor

El transistor es un dispositivo elctronico semiconductor que cumple funciones de amplificador, osilador , conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorecentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956.

El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes drogadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.

De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es función amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta o reja de control y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenador (D) será función amplificada de la Tensión presente entre la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es análogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa y Cátodo.

Los transistores de efecto de campo, son los que han permitido la integración a gran escala que disfrutamos hoy en día, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios miles de transistores interconectados por centímetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

• TIPOS DE TRANSITORES
• Transistor de punta de contacto. Primer transistor que obtuvo ganancia, inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. Hoy día ha desaparecido.
• Transistor de unión bipolar, BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas), normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio, Aluminio o Galio y donantes N al Arsénico o Fósforo.

La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas.

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitelial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

• Fototransistor, sensible a la radiación electromagnética, en frecuencias cercanas a la de la luz.
• Transistor de unión unipolar.
• Transistor de efecto de campo, FET, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.
  • Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
  • Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
    • Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.

Transistores y electrónica de potencia

Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica, la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es así como actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.

El transistor frente a la válvula termoiónica

Antes de la aparición del transistor los ingenieros utilizaban elementos activos llamados válvulas termoiónicas. Las válvulas tienen características eléctricas similares a la de los transistores de efecto de campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tensión en el borne de comando, llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplazó a la válvula termoiónica son varias:

• Las válvulas termoiónicas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios, tensiones que son letales para el ser humano.
• Las válvulas consumen mucha energía, lo que las vuelve particularmente poco útiles para el uso con baterías.
• Probablemente, uno de los problemas más importantes es el peso. El chasis necesario para alojar las válvulas, los transformadores requeridos para suministrar la alta tensión, todo ello sumaba un peso importante, que iba desde algunos kilos a algunas decenas de kilos.
• El tiempo medio entre fallas de las válvulas termoiónicas es muy corto comparado al del transistor, sobre todo a causa del calor generado.

Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora digital, llamada ENIAC. Era un equipo que pesaba más de treinta toneladas y consumía 200 kilovatios, suficientes para alimentar una pequeña ciudad. Tenía alrededor de 18.000 válvulas, de las cuales algunas se quemaban cada día, necesitando una logística y una organización importantes.

Cuando el transistor bipolar fue inventado en 1947, fue considerado una revolución. Pequeño, rápido, fiable, poco costoso, sobrio en sus necesidades de energía, reemplazó progresivamente a la válvula termoiónica durante la década de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los años 60, algunos fabricantes siguieron utilizando válvulas termoiónicas en equipos de radio de gama alta, como Collins y Drake; luego el transistor desplazó a la válvula de los transmisores pero no del todo de los amplificadores de radiofrecuencia. Otros fabricantes, de equipo de audio esta vez, como Fender, siguieron utilizando válvulas termoiónicas en amplificadores de audio para guitarras. Las razones de la supervivencia de las válvulas termoiónicas son varias:

• El transistor no tiene las características de linearidad a alta potencia de la válvula termoiónica, por lo que no pudo reemplazarla en los amplificadores de transmisión de radio profesionales y de radioaficionados.
• Los armónicos introducidos por la no-linealidad de las válvulas resultan agradables al oído humano (véase psicoacústica), por lo que son preferidos por los audiófilos
• El transistor es muy sensible a los efectos electromagnéticos de las explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando válvulas termoiónicas en algunos sistemas de control-comando de cazas de fabricación soviética.